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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.1
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
3,510.5
17.3
写入速度,GB/s
1,423.3
16.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3637
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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