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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
73
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
59
读取速度,GB/s
3,510.5
20.1
写入速度,GB/s
1,423.3
10.6
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2382
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
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