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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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需要考虑的原因
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
73
左右 -128% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.8
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
32
读取速度,GB/s
3,510.5
9.8
写入速度,GB/s
1,423.3
8.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2271
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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