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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
3,510.5
17.4
写入速度,GB/s
1,423.3
14.5
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3419
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
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Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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