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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
73
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
53
读取速度,GB/s
3,510.5
10.3
写入速度,GB/s
1,423.3
8.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2333
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
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