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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864FB3-CF7 1GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M4 70T2864FB3-CF7 1GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Samsung M4 70T2864FB3-CF7 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
89
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864FB3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
932.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864FB3-CF7 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
73
89
读取速度,GB/s
3,510.5
1,100.9
写入速度,GB/s
1,423.3
932.4
内存带宽,mbps
5300
6400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
190
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
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