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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
73
左右 -181% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.2
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
26
读取速度,GB/s
3,510.5
12.6
写入速度,GB/s
1,423.3
6.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
1970
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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