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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
36
读取速度,GB/s
3,510.5
14.4
写入速度,GB/s
1,423.3
10.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2489
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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