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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
73
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
36
读取速度,GB/s
3,510.5
15.0
写入速度,GB/s
1,423.3
10.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2657
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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