Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

总分
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

总分
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 73
    左右 -143% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    10.7 left arrow 1,423.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 5300
    左右 4.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    73 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    3,510.5 left arrow 14.7
  • 写入速度,GB/s
    1,423.3 left arrow 10.7
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    476 left arrow 2935
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RAM 1
RAM 2

最新比较