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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
3,510.5
12.0
写入速度,GB/s
1,423.3
8.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2441
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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