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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
73
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
32
读取速度,GB/s
3,510.5
10.8
写入速度,GB/s
1,423.3
8.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2318
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
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