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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

总分
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

总分
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 16.6
    测试中的平均数值
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB 需要考虑的原因
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 73
    左右 -217% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 1,423.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 5300
    左右 3.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    73 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    3,510.5 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    1,423.3 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    476 left arrow 2712

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较

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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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内存RAM
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
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Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
内存RAM
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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内存RAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
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内存RAM
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Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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