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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
总分
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
61
左右 -135% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,903.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
26
读取速度,GB/s
4,668.9
14.8
写入速度,GB/s
1,903.1
12.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
735
2576
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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