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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
61
左右 -118% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,903.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
28
读取速度,GB/s
4,668.9
17.2
写入速度,GB/s
1,903.1
12.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
735
3168
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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