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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
总分
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
61
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,903.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
24
读取速度,GB/s
4,668.9
14.2
写入速度,GB/s
1,903.1
7.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
735
2124
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
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