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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
50
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
29
读取速度,GB/s
15.3
18.3
写入速度,GB/s
10.9
15.9
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3584
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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