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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
50
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
28
读取速度,GB/s
15.3
17.3
写入速度,GB/s
10.9
15.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3914
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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