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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
50
左右 -108% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
24
读取速度,GB/s
15.3
13.9
写入速度,GB/s
10.9
6.5
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
2113
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
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