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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
50
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
28
读取速度,GB/s
15.3
18.2
写入速度,GB/s
10.9
14.9
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3501
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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