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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
50
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
31
读取速度,GB/s
15.3
17.2
写入速度,GB/s
10.9
12.9
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3100
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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