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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
比较
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
AMD R9S48G3206U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R9S48G3206U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
11.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
15.8
20.6
写入速度,GB/s
11.9
13.9
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2824
3518
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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