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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
40
读取速度,GB/s
15.8
13.8
写入速度,GB/s
11.9
10.3
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2824
2340
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
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