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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
35
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
22
读取速度,GB/s
15.7
18.2
写入速度,GB/s
11.8
13.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2767
3138
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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