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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
比较
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
15.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
15.7
15.9
写入速度,GB/s
11.8
7.9
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2767
2322
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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