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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
比较
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
15.8
15.1
写入速度,GB/s
13.5
12.4
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3075
2871
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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