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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

总分
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

总分
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G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB 需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    45 left arrow 55
    左右 -22% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.1 left arrow 13.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    55 left arrow 45
  • 读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 16.2
  • 写入速度，GB/s
    13.8 left arrow 14.1
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2701 left arrow 3027

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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