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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
55
左右 -49% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
37
读取速度,GB/s
15.8
13.9
写入速度,GB/s
13.8
9.6
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2701
2461
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-055.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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