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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
35
读取速度,GB/s
15.5
15.4
写入速度,GB/s
11.5
10.5
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2264
2735
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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