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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 -5% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
37
读取速度,GB/s
15.5
14.4
写入速度,GB/s
11.5
10.4
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2264
2179
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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