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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
38
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
21
读取速度,GB/s
15.5
18.2
写入速度,GB/s
12.0
13.7
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3120
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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