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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
15.5
16.7
写入速度,GB/s
12.0
13.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3202
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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