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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

总分
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

总分
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Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 21300
    左右 1.2% 更高的带宽
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB 需要考虑的原因
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 38
    左右 -9% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.8 left arrow 15.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.6 left arrow 12.0
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 20.8
  • 写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 14.6
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2283 left arrow 3583

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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