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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
26
读取速度,GB/s
15.5
19.7
写入速度,GB/s
12.0
14.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3484
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
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Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
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