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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
15.5
17.0
写入速度,GB/s
12.0
13.7
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3323
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
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