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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
23
读取速度,GB/s
15.5
16.7
写入速度,GB/s
12.0
11.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2661
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
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Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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