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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
15.5
16.3
写入速度,GB/s
12.0
13.1
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2850
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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