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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
15.5
17.8
写入速度,GB/s
12.0
13.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3208
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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