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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
35
读取速度,GB/s
15.5
16.2
写入速度,GB/s
12.0
12.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3246
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
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