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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
15.5
16.9
写入速度,GB/s
12.0
13.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3300
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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