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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
15.5
18.1
写入速度,GB/s
12.0
13.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3299
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-017.A00G 4GB
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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
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