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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
26
读取速度,GB/s
15.5
19.2
写入速度,GB/s
12.0
12.8
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3180
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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