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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Teclast TLD416G26A30 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Teclast TLD416G26A30 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
15.5
15.9
写入速度,GB/s
12.0
13.1
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2719
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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