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Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
比较
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
总分
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
总分
Kingston XK2M26-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.4
5.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
39
读取速度,GB/s
9.5
14.0
写入速度,GB/s
5.1
6.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1646
2297
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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