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Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
总分
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
35
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
8.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
4.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
21
读取速度,GB/s
8.4
15.9
写入速度,GB/s
4.5
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1310
3089
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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