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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
12.0
18.2
写入速度,GB/s
7.8
14.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3439
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB RAM的比较
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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