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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
45
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
22
读取速度,GB/s
12.0
13.8
写入速度,GB/s
7.8
7.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2191
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
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