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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
12.0
13.0
写入速度,GB/s
7.8
6.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2041
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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