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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
51
左右 12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.5
12
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
51
读取速度,GB/s
12.0
12.5
写入速度,GB/s
7.8
5.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1081
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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