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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
71
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
7.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
71
读取速度,GB/s
12.0
7.1
写入速度,GB/s
7.8
5.6
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
948
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB RAM的比较
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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